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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
38
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
19
读取速度,GB/s
14.1
20.0
写入速度,GB/s
8.7
17.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
3499
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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