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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
45
读取速度,GB/s
14.1
9.4
写入速度,GB/s
8.7
8.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
1550
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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