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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
10.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
16.3
15.2
写入速度,GB/s
13.5
10.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3146
2773
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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