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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
12.8
18.2
写入速度,GB/s
9.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
3533
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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