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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
82
左右 54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.1
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
82
读取速度,GB/s
12.8
13.1
写入速度,GB/s
9.1
6.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
1354
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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