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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
12.8
15.2
写入速度,GB/s
9.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
2913
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
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