Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

总分
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

总分
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 38
    左右 -65% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.7 left arrow 9.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 23
  • 读取速度,GB/s
    12.8 left arrow 17.0
  • 写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 14.7
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2099 left arrow 3156
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RAM 1
RAM 2

最新比较