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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
12.8
13.0
写入速度,GB/s
9.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
2757
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
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Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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