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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
37
读取速度,GB/s
14.7
16.8
写入速度,GB/s
11.0
13.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2658
2990
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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