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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
44
读取速度,GB/s
14.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2170
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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