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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
14.2
19.0
写入速度,GB/s
8.1
16.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
3827
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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