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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
14.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2631
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB RAM的比较
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Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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