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Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
比较
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.4
15.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
17.9
17.3
写入速度,GB/s
15.2
15.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3755
3628
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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