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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
比较
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
总分
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
13.2
19.0
写入速度,GB/s
8.3
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
3683
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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