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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
比较
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
总分
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
62
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
62
读取速度,GB/s
13.2
17.4
写入速度,GB/s
8.3
8.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2086
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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