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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
13.2
14.9
写入速度,GB/s
8.3
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2589
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
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SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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