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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
8.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
2283
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
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