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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.8
16.7
写入速度,GB/s
7.0
12.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
3239
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
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