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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
40
左右 -150% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
16
读取速度,GB/s
12.8
21.7
写入速度,GB/s
7.0
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
3872
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
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