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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.8
18.8
写入速度,GB/s
7.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
3190
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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