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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
40
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
24
读取速度,GB/s
12.8
13.8
写入速度,GB/s
7.0
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
1983
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
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