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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.8
15.8
写入速度,GB/s
7.0
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
2852
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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