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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.8
16.4
写入速度,GB/s
7.0
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2021
2532
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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