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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
13.9
17.3
写入速度,GB/s
8.7
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2190
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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