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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
13.9
18.9
写入速度,GB/s
8.7
16.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3860
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
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