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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
13.9
18.5
写入速度,GB/s
8.7
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3116
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
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