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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.7
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3300
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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