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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
13.9
17.1
写入速度,GB/s
8.7
11.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2903
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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