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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
13.9
17.0
写入速度,GB/s
8.7
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3211
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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