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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
13.9
15.4
写入速度,GB/s
8.7
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2771
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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