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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
38
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
35
读取速度,GB/s
13.9
15.9
写入速度,GB/s
8.7
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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