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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
13.9
19.0
写入速度,GB/s
8.7
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3482
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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