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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
85
左右 55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
85
读取速度,GB/s
13.9
11.3
写入速度,GB/s
8.7
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
1118
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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