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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
13.9
11.2
写入速度,GB/s
8.7
7.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2266
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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