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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
13.9
14.7
写入速度,GB/s
8.7
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2908
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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