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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
58
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
58
读取速度,GB/s
13.9
18.5
写入速度,GB/s
8.7
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
1998
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
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