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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
13.9
15.0
写入速度,GB/s
8.7
10.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2657
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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