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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
13.9
16.8
写入速度,GB/s
8.7
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2726
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
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