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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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需要考虑的原因
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
39
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
31
读取速度,GB/s
12.1
20.9
写入速度,GB/s
9.8
15.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
3740
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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