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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
12.1
17.0
写入速度,GB/s
9.8
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
3255
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB RAM的比较
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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