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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB vs Kingston 9905598-025.A00G 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
总分
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
12.1
13.4
写入速度,GB/s
9.8
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2453
2045
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB RAM的比较
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
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