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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
14.3
18.0
写入速度,GB/s
9.4
14.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
3490
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
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