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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.5
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
14.3
20.6
写入速度,GB/s
9.4
17.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
3936
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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Kingston KHX2133C14/16G 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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