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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
14.3
13.6
写入速度,GB/s
9.4
9.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2722
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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