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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
71
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
71
读取速度,GB/s
14.3
9.1
写入速度,GB/s
9.4
6.4
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
1484
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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