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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
14.3
15.4
写入速度,GB/s
9.4
10.8
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2720
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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