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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
35
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
23
读取速度,GB/s
14.3
14.7
写入速度,GB/s
9.4
6.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2231
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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