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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
50
读取速度,GB/s
14.3
10.2
写入速度,GB/s
9.4
7.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2064
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
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