RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
64
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
14.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
64
读取速度,GB/s
14.3
17.0
写入速度,GB/s
9.4
8.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2479
2103
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB RAM的比较
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link