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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
比较
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
总分
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
总分
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
39
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
39
读取速度,GB/s
17.0
15.1
写入速度,GB/s
11.5
10.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3077
2478
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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